ZXMN2A02N8
CHARACTERISTICS
ISSUE 6 - FEBRUARY 2007
SEMICONDUCTORS
6
相关PDF资料
ZXMN2A02X8TC MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP
ZXMN2A03E6TC MOSFET N-CHAN 20V SOT23-6
ZXMN2A04DN8TC MOSFET DUAL N-CHAN 20V 8SOIC
ZXMN2A14FTA MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
ZXMN2AM832TA MOSFET N-CHAN DUAL 20V 8MLP
ZXMN2AMCTA MOSFET 2N-CH 20V 2.9A DFN
ZXMN2B01FTA MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
ZXMN2B03E6TA MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
相关代理商/技术参数
ZXMN2A02N8TC 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN2A02X8 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN2A02X8_05 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN2A02X8TA 功能描述:MOSFET 20V N Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZXMN2A02X8TC 功能描述:MOSFET 20V N Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZXMN2A03E6 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-23-6 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N, SOT-23-6
ZXMN2A03E6_05 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN2A03E6TA 功能描述:MOSFET N Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube